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高通滤波器, 滤波器
10.000 to 23.000GHz, STHP100-H062 高通滤波器,滤波器
频率 : 10.000 – 23.000 GHz
损耗: 1.2 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 0.3 W
描述 : STHP100-H062是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.000~23.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STHP100-H062
低通滤波器, 滤波器
DC to 2.000GHz, MH164 低通滤波器,滤波器
频率 : DC – 2.000 GHz
损耗: 1.2 dB
回波损耗 : 18.0 dB
功率 : W
描述 : MH164是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: MH164
低通滤波器, 滤波器
DC to 9.000GHz, XC-LF-9 低通滤波器,滤波器
频率 : DC – 9.000 GHz
损耗: 1.7 dB
回波损耗 : 18.0 dB
功率 : W
描述 : XC-LF-9是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~9.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: XC-LF-9
低通滤波器, 滤波器
DC to 9.000GHz, IFL-9 低通滤波器,滤波器
频率 : DC – 9.000 GHz
损耗: 1.7 dB
回波损耗 : 20.0 dB
功率 : W
描述 : IFL-9是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~9.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: IFL-9
芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
品牌:丽芯微电子
型号:C12-30-100V-101
容值/容差:100pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥100G@100V
损耗@频率:≤4.0@1KHz
封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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SKU: C12-30-100V-101
均衡器
0.500 to 20.000GHz, NC6001C-120C, 10dB 均衡量 均衡器
频率:0.500~20.000GHz
均衡量:16.0dB
插入损耗:1.2dB@18GHz
VSWR:1.3
NC6001C-120C是均衡器系列芯片,均衡频段为0.500~20.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: NC6001C-120C
均衡器
8.000 to 12.000GHz, NC6006C-812, 10dB 均衡量 均衡器
频率:8.000~12.000GHz
均衡量:3.0dB
插入损耗:1.1dB@18GHz
VSWR:1.3
NC6006C-812是均衡器系列芯片,均衡频段为8.000~12.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: NC6006C-812
均衡器
1.000 to 18.000GHz, CNW601181A, 10dB 均衡量 均衡器
频率:1.000~18.000GHz
均衡量:5.0dB
插入损耗:1.0dB@18GHz
VSWR:1.1
CNW601181A是均衡器系列芯片,均衡频段为1.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: CNW601181A