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芯片电容, 基础元器件
6800pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0303-100V-682
- 容值/容差：6800pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.8*0.8*0.5 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C14-0303-100V-682 -
芯片电容, 基础元器件
6800pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-10V-682
- 容值/容差：6800pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：10V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
3300pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0303-100V-332
- 容值/容差：3300pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.8*0.8*0.5 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
3300pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-25V-332
- 容值/容差：3300pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：25V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-100V-102
- 容值/容差：1000pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
680pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-100V-681
- 容值/容差：680pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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