丽芯微电
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芯片电容, 基础元器件
2200pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-40-25V-222
- 容值/容差：2200pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：1.016*1.016*0.150 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
2200pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-40-25V-222
- 容值/容差：2200pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：1.016*1.016*0.150 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
220pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-15-50V-221
- 容值/容差：220pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
22pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-20-100V-220
- 容值/容差：22pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.508*0.508*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
22pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-15-100V-220
- 容值/容差：22pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
3300pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-50-25V-332
- 容值/容差：3300pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：1.270*1.270*0.150 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
3300pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-50-25V-332
- 容值/容差：3300pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：1.270*1.270*0.150 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
3300pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-25V-332
- 容值/容差：3300pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：25V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
3300pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0303-100V-332
- 容值/容差：3300pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.8*0.8*0.5 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
330pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-25-50V-331
- 容值/容差：330pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
330pF, ≥1G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C13-0603-50V-331
- 容值/容差：330pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：1.524*0.762*0.178 mm
- 性能特点：采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围：-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
330pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-100V-331
- 容值/容差：330pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C14-0202-100V-331 -
芯片电容, 基础元器件
33pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-20-100V-330
- 容值/容差：33pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.508*0.508*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C12-20-100V-330 -
芯片电容, 基础元器件
33pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-15-100V-330
- 容值/容差：33pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C11-15-100V-330 -
芯片电容, 基础元器件
33pF, ≥100G@100V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C13-0402-100V-330
- 容值/容差：33pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：1.016*0.5*0.178 mm
- 性能特点：采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围：-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
33pF, ≥100G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C13-0201-50V-330
- 容值/容差：33pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@50V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.508*0.254*0.178 mm
- 性能特点：采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围：-55 ~ +125℃
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C13-0201-50V-330
