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低通滤波器, 滤波器
DC to 14.600GHz, STLP146-L030 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 14.600 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP146-L030是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~14.600GHz，通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 15.800GHz, STLP158-L031 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 15.800 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP158-L031是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~15.800GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.000GHz, STLP170-L032 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.000 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP170-L032是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~17.000GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.600GHz, STLP176-L033 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.600 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP176-L033是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~17.600GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.800GHz, STLP178-L623 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.800 GHz
- 损耗: 0.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP178-L623是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~17.800GHz，通带插损0.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 18.000GHz, STLP180-L040 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 18.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP180-L040是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~18.000GHz，通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 19.000GHz, STLP190-L034 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 19.000 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP190-L034是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~19.000GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 20.000GHz, STLP200-L035 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 20.000 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP200-L035是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~20.000GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 32.000GHz, STLP320-L624 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 32.000 GHz
- 损耗: 0.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP320-L624是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~32.000GHz，通带插损0.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 4.400GHz, STLP4R4-L472 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 4.400 GHz
- 损耗: 0.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP4R4-L472是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~4.400GHz，通带插损0.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.000GHz, STLP5R0-L020 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP5R0-L020是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~5.000GHz，通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 6.000GHz, STLP6R0-L021 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 6.000 GHz
- 损耗: 0.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP6R0-L021是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~6.000GHz，通带插损0.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 7.000GHz, STLP7R0-L022 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 7.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP7R0-L022是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~7.000GHz，通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, STLP8R0-L023 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP8R0-L023是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~8.000GHz，通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, STLP8R0-L622 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 0.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP8R0-L622是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~8.000GHz，通带插损0.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.600GHz, STLP8R6-L024 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.600 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP8R6-L024是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~8.600GHz，通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 9.800GHz, STLP9R8-L025 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 9.800 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP9R8-L025是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~9.800GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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