高通滤波器, 滤波器
14.000 to 36.000GHz, XC-HF-14 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.000 – 36.000 GHz
- 损耗: 2.4 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-HF-14是一款低通滤波器芯片，通带频率为14.000~36.000GHz，通带插损2.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP7R0-L022是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~7.000GHz，通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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- 描述 : F00270是一款低通滤波器芯片，通带频率为12.000~14.500GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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4.000 to 6.000GHz, F00013 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.000 – 6.000 GHz
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- 回波损耗 : 10.9 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00013是一款低通滤波器芯片，通带频率为4.000~6.000GHz，通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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- 描述 : F00257是一款低通滤波器芯片，通带频率为24.250~25.050GHz，通带插损3.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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DC to 5.000GHz, MH167 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
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- 功率 : W
- 描述 : MH167是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~5.000GHz，通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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- 描述 : NC6671C-2327是一款低通滤波器芯片，通带频率为23.000~27.500GHz，通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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34.000 to 37.000GHz, NC6626C-3437 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 34.000 – 37.000 GHz
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- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6626C-3437是一款低通滤波器芯片，通带频率为34.000~37.000GHz，通带插损2.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
4.200 to 6.600GHz, STBP5R4-2R4-D631 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.200 – 6.600 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP5R4-2R4-D631是一款低通滤波器芯片，通带频率为4.200~6.600GHz，通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.000 to 18.000GHz, STBP150-6R0-A575 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.000 – 18.000 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP150-6R0-A575是一款低通滤波器芯片，通带频率为12.000~18.000GHz，通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
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- 频率 : 20.000 – 21.400 GHz
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- 描述 : STBP207-1R4-D489是一款低通滤波器芯片，通带频率为20.000~21.400GHz，通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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