中国电子科技集团公司第十三研究所-公司介绍
中国电子科技集团公司第十三研究所,1956年始建于北京,1963年迁至河北石家庄,是我国规模较大、技术力量雄厚、专业结构配套齐全的创新型、综合性半导体核心电子器件骨干研究单位,是我国重要的高端核心电子器件供应基地、半导体新器件新技术创新基地。
十三所以微电子、光电子、微电子机械系统(MEMS)、半导体高端传感器、光机电集成微系统五大技术领域和电子封装、材料和计量检测等基础支撑领域为重点发展方向,自建所以来,在半导体领域先后创造了60多项国内第一,取得了3100多项科研成果,其中63项荣获国家级奖励、500多项获部(省)级奖励、550多项科研水平达到国际领先或国际先进水平。2020年实现收入81亿元,连续9年集团公司考核A级。
十三所现有员工7000余人,其中,中、高级技术职称577人,集团首席科学家2人,首席专家3人,享受国务院特殊津贴专家7人,国家百千万人才工程1人。
十三所拥有所本部和西区两个科研生产区,总占地面积1500亩,拥有4大事业部、5个创新中心、12个控股公司,拥有9条国内先进的研制生产工艺线,通过了GJB9001C-2017和GB-T19001-2016 质量体系认证,设有国防科技重点实验室、国防科技工业元器件封装技术创新中心、国家半导体器件质量监督检验中心、国防科技工业1312二级计量站、国家863计划光电子器件产业化基地和MEMS工艺封装基地。十三所是工学硕士招生培养单位,联合培养博士单位,拥有博士后科研工作站。另外,十三所出版发行《半导体技术》和《微纳电子技术》两份国家核心期刊。
十三所建立了从材料、设计、工艺、测试到封装完全自主可控的技术体系,形成了从芯片、组件到集成微系统的产品供应链,产品已广泛应用于海、陆、空、天等各类武器电子装备,是实现武器装备核心电子器件自主可控的中坚力量。同时,布局微波射频通信、电子陶瓷封装、电力电子新能源、传感器等国家新兴战略领域,与多家世界知名公司和科研机构建立了良好的技术合作关系,广泛开展交流和合作,产品逐步满足国产化需求并远销全球二十多个国家和地区。
十三所将始终勇于担当,心系国家,依托河北,坚持立足自主创新、自立自强,为我国半导体核心器件发展贡献力量,充分彰显可以信赖的“半导体核心器件大国重器”的政治担当与价值所在。
资质证书
主要产品系列
- 射频/微波毫米波半导体器件及集成芯片
- 射频/微波毫米波混合集成电路
代理授权证书
产品手册下载
wdt_ID | 封装 | 型号 | GHz-L | GHz-H | P1-dBm | Gain-dB | NF-dB | VSWR-IN | VSWR-OUT | mA |
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1 | Die 裸芯片 | NC10214C-4046 | 40.00 | 46.00 | 0.0 | 17.0 | 2.0 | 2.0 | 30 | |
2 | Die 裸芯片 | NC1047C-506A | 5.00 | 6.00 | 11.0 | 21.0 | 1.5 | 1.3 | 55 | |
3 | Die 裸芯片 | NC1047C-506AM | 5.00 | 6.00 | 11.0 | 21.0 | 1.5 | 1.3 | 55 | |
4 | Die 裸芯片 | NC10193C-2833 | 28.00 | 33.00 | 2.0 | 13.0 | 1.5 | 1.5 | 12 | |
5 | Die 裸芯片 | NC10192C-2933 | 29.00 | 33.00 | 8.0 | 14.0 | 1.5 | 1.5 | 20 | |
6 | Die 裸芯片 | NC10173C-2232 | 22.00 | 32.00 | 1.0 | 21.0 | 1.8 | 1.5 | 12 | |
7 | Die 裸芯片 | NC10173C-2232M | 22.00 | 32.00 | 1.0 | 21.0 | 1.8 | 1.5 | 12 | |
8 | Die 裸芯片 | NC10166C-1825 | 18.00 | 25.00 | 1.0 | 25.0 | 1.5 | 1.5 | 10 | |
9 | Die 裸芯片 | NC10166C-1825M | 18.00 | 25.00 | 1.0 | 25.0 | 1.5 | 1.5 | 10 | |
10 | Die 裸芯片 | NC10308C-0527 | 0.50 | 2.70 | 10.0 | 23.0 | 1.8 | 1.8 | 60 | |
封装 | 型号 | GHz-L | GHz-H | P1-dBm | Gain-dB | NF-dB | VSWR-IN | VSWR-OUT | mA |
wdt_ID | 分类 | 封装 | 型号 | GHz-L | GHz-H | Psat-dBm | P1-dBm | Gain-dB | VSWR-IN | mA | V |
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1 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11315C-103 | DC | 3.00 | 24.0 | 23.0 | 14.0 | 1.5 | 110 | 5 |
2 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11421C-110 | 0.10 | 10.00 | 18.0 | 17.0 | 13.0 | 2.0 | 56 | 5 |
3 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11471C-0820 | 0.80 | 2.00 | 26.0 | 23.5 | 12.0 | 2.0 | 150 | 5 |
4 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC1170C-1216B | 1.00 | 1.60 | 31.0 | 29.0 | 31.0 | 1.7 | 440 | 8 |
5 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11423C-1314P8 | 1.35 | 1.45 | 38.0 | 37.0 | 30.5 | 1.2 | 950 | 8 |
6 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11127C-1319 | 1.30 | 1.90 | 23.0 | 21.0 | 17.0 | 2.0 | 80 | 8 |
7 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11129C-1319 | 1.30 | 1.90 | 24.0 | 22.0 | 9.0 | 1.8 | 100 | 8 |
8 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11402C-1417 | 1.40 | 1.70 | - | 15.0 | 35.0 | 1.5 | 33 | 5 |
9 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11403C-1516P5 | 1.50 | 1.53 | 37.0 | 36.0 | 22.0 | 2.0 | 1600 | 5 |
10 | CaAs功率放大器 | Die 裸芯片 | NC11258C-1924P2 | 1.90 | 2.40 | 33.0 | - | 28.0 | 1.6 | 460 | 8 |
分类 | 封装 | 型号 | GHz-L | GHz-H | Psat-dBm | P1-dBm | Gain-dB | VSWR-IN | mA | V |