中国电子科技集团公司第十三研究所-公司介绍

中国电子科技集团公司第十三研究所,1956年始建于北京,1963年迁至河北石家庄,是我国规模较大、技术力量雄厚、专业结构配套齐全的创新型、综合性半导体核心电子器件骨干研究单位,是我国重要的高端核心电子器件供应基地、半导体新器件新技术创新基地。

十三所以微电子、光电子、微电子机械系统(MEMS)、半导体高端传感器、光机电集成微系统五大技术领域和电子封装、材料和计量检测等基础支撑领域为重点发展方向,自建所以来,在半导体领域先后创造了60多项国内第一,取得了3100多项科研成果,其中63项荣获国家级奖励、500多项获部(省)级奖励、550多项科研水平达到国际领先或国际先进水平。2020年实现收入81亿元,连续9年集团公司考核A级。

十三所现有员工7000余人,其中,中、高级技术职称577人,集团首席科学家2人,首席专家3人,享受国务院特殊津贴专家7人,国家百千万人才工程1人。

十三所拥有所本部和西区两个科研生产区,总占地面积1500亩,拥有4大事业部、5个创新中心、12个控股公司,拥有9条国内先进的研制生产工艺线,通过了GJB9001C-2017和GB-T19001-2016 质量体系认证,设有国防科技重点实验室、国防科技工业元器件封装技术创新中心、国家半导体器件质量监督检验中心、国防科技工业1312二级计量站、国家863计划光电子器件产业化基地和MEMS工艺封装基地。十三所是工学硕士招生培养单位,联合培养博士单位,拥有博士后科研工作站。另外,十三所出版发行《半导体技术》和《微纳电子技术》两份国家核心期刊。

十三所建立了从材料、设计、工艺、测试到封装完全自主可控的技术体系,形成了从芯片、组件到集成微系统的产品供应链,产品已广泛应用于海、陆、空、天等各类武器电子装备,是实现武器装备核心电子器件自主可控的中坚力量。同时,布局微波射频通信、电子陶瓷封装、电力电子新能源、传感器等国家新兴战略领域,与多家世界知名公司和科研机构建立了良好的技术合作关系,广泛开展交流和合作,产品逐步满足国产化需求并远销全球二十多个国家和地区。

十三所将始终勇于担当,心系国家,依托河北,坚持立足自主创新、自立自强,为我国半导体核心器件发展贡献力量,充分彰显可以信赖的“半导体核心器件大国重器”的政治担当与价值所在。

资质证书

主要产品系列

  • 射频/微波毫米波半导体器件及集成芯片
  • 射频/微波毫米波混合集成电路

代理授权证书

产品手册下载

wdt_ID 封装 型号 GHz-L GHz-H P1-dBm Gain-dB NF-dB VSWR-IN VSWR-OUT mA
1 Die 裸芯片 NC10214C-4046 40.00 46.00 0.0 17.0 2.0 2.0 30
2 Die 裸芯片 NC1047C-506A 5.00 6.00 11.0 21.0 1.5 1.3 55
3 Die 裸芯片 NC1047C-506AM 5.00 6.00 11.0 21.0 1.5 1.3 55
4 Die 裸芯片 NC10193C-2833 28.00 33.00 2.0 13.0 1.5 1.5 12
5 Die 裸芯片 NC10192C-2933 29.00 33.00 8.0 14.0 1.5 1.5 20
6 Die 裸芯片 NC10173C-2232 22.00 32.00 1.0 21.0 1.8 1.5 12
7 Die 裸芯片 NC10173C-2232M 22.00 32.00 1.0 21.0 1.8 1.5 12
8 Die 裸芯片 NC10166C-1825 18.00 25.00 1.0 25.0 1.5 1.5 10
9 Die 裸芯片 NC10166C-1825M 18.00 25.00 1.0 25.0 1.5 1.5 10
10 Die 裸芯片 NC10308C-0527 0.50 2.70 10.0 23.0 1.8 1.8 60
封装 型号 GHz-L GHz-H P1-dBm Gain-dB NF-dB VSWR-IN VSWR-OUT mA
wdt_ID 分类 封装 型号 GHz-L GHz-H Psat-dBm P1-dBm Gain-dB VSWR-IN mA V
1 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11315C-103 DC 3.00 24.0 23.0 14.0 1.5 110 5
2 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11421C-110 0.10 10.00 18.0 17.0 13.0 2.0 56 5
3 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11471C-0820 0.80 2.00 26.0 23.5 12.0 2.0 150 5
4 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC1170C-1216B 1.00 1.60 31.0 29.0 31.0 1.7 440 8
5 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11423C-1314P8 1.35 1.45 38.0 37.0 30.5 1.2 950 8
6 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11127C-1319 1.30 1.90 23.0 21.0 17.0 2.0 80 8
7 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11129C-1319 1.30 1.90 24.0 22.0 9.0 1.8 100 8
8 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11402C-1417 1.40 1.70 - 15.0 35.0 1.5 33 5
9 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11403C-1516P5 1.50 1.53 37.0 36.0 22.0 2.0 1600 5
10 CaAs功率放大器 Die 裸芯片 NC11258C-1924P2 1.90 2.40 33.0 - 28.0 1.6 460 8
分类 封装 型号 GHz-L GHz-H Psat-dBm P1-dBm Gain-dB VSWR-IN mA V
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