滤波器
搜索结果 15:
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低通滤波器, 滤波器
0.025 to 1.000GHz, F00417 低通滤波器,滤波器
- 频率 : 0.025 – 1.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00417是一款低通滤波器芯片,通带频率为0.025~1.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
10.000 to 23.000GHz, STHP100-H062 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP100-H062是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.000~23.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.000 to 23.000GHz, STBP185-9R0-A334 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP185-9R0-A334是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.000~23.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.000 to 23.000GHz, IFL-1923 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-1923是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.000~23.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.000 to 23.000GHz, NC6638C-1923 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 2.1 dB
- 回波损耗 : 1.6 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6638C-1923是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.000~23.000GHz,通带插损2.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.000 to 23.000GHz, NC6639C-1923 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 1.6 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6639C-1923是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.000~23.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
22.500 to 23.000GHz, STBP227-0R5-D459 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 22.500 – 23.000 GHz
- 损耗: 3.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP227-0R5-D459是一款低通滤波器芯片,通带频率为22.500~23.000GHz,通带插损3.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
33.000 to 39.200GHz, STBP361-6R2-A533 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 33.000 – 39.200 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP361-6R2-A533是一款低通滤波器芯片,通带频率为33.000~39.200GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
5.639 to 5.689GHz, F00286 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 5.639 – 5.689 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00286是一款低通滤波器芯片,通带频率为5.639~5.689GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, F00724 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00724是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, IFL-1 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-1是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, MH163 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH163是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, NC6602C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6602C-010是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, NC6643C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6643C-010是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, XC-LF-1 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-1是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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