低通滤波器
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低通滤波器, 滤波器
0.025 to 1.000GHz, F00417 低通滤波器,滤波器
- 频率 : 0.025 – 1.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00417是一款低通滤波器芯片，通带频率为0.025~1.000GHz，通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.300GHz, NC6655C-003 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.300 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6655C-003是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.300GHz，通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.360GHz, F00538 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.360 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00538是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.360GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.500GHz, F00346 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00346是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.500GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.500GHz, IFL-0.5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.500 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-0.5是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.500GHz，通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.500GHz, NC6601C-005 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6601C-005是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.500GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.510GHz, F00562 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.510 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00562是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.510GHz，通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.600GHz, F00359 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.600 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00359是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.600GHz，通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, F00724 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00724是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.000GHz，通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, IFL-1 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-1是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.000GHz，通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, MH163 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH163是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.000GHz，通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, NC6602C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6602C-010是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.000GHz，通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, NC6643C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6643C-010是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.000GHz，通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, XC-LF-1 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-1是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.000GHz，通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.200GHz, F00358 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.200 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00358是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.200GHz，通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.340GHz, F00537 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.340 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00537是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.340GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, F00479 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00479是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.500GHz，通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, IFL-1.5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-1.5是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.500GHz，通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, NC6603C-015 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6603C-015是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.500GHz，通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, XC-LF-1P5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-1P5是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.500GHz，通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, IFL-10 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 2.6 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-10是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~10.000GHz，通带插损2.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, MH172 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 16.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH172是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~10.000GHz，通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, NC6619C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6619C-010是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~10.000GHz，通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, XC-LF-10 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 2.1 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-10是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~10.000GHz，通带插损2.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: XC-LF-10 -
低通滤波器, 滤波器
DC to 11.000GHz, MH173 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 11.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH173是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~11.000GHz，通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 11.000GHz, STLP110-L026 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 11.000 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP110-L026是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~11.000GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 11.400GHz, STLP115-L222 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 11.400 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP115-L222是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~11.400GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 12.000GHz, F00578 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 12.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 9.5 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00578是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~12.000GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 12.000GHz, MH174 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 12.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 17.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH174是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~12.000GHz，通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 12.000GHz, STLP120-L027 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 12.000 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP120-L027是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~12.000GHz，通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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