低通滤波器
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.300GHz, NC6655C-003 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.300 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6655C-003是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~0.300GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.500GHz, NC6601C-005 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6601C-005是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~0.500GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, NC6602C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6602C-010是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, NC6643C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6643C-010是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, NC6603C-015 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6603C-015是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.500GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, NC6619C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6619C-010是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~10.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 13.000GHz, NC6620C-013 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 13.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6620C-013是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~13.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 14.000GHz, NC6621C-014 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 14.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6621C-014是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~14.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 15.000GHz, NC6622C-015 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 15.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6622C-015是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~15.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.000GHz, NC6623C-017 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.000 GHz
- 损耗: 2.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6623C-017是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~17.000GHz,通带插损2.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.000GHz, NC6604C-020 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6604C-020是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.500GHz, NC6605C-025 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.500 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6605C-025是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.500GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 3.000GHz, NC6606C-030 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 3.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6606C-030是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~3.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 3.500GHz, NC6607C-035 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 3.500 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6607C-035是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~3.500GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 4.000GHz, NC6608C-040 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 4.000 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6608C-040是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~4.000GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 4.500GHz, NC6609C-045 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 4.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6609C-045是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~4.500GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 4.500GHz, NC6641C-045 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 4.500 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6641C-045是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~4.500GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.000GHz, NC6610C-050 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6610C-050是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~5.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.500GHz, NC6611C-055 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6611C-055是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~5.500GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 6.000GHz, NC6612C-060 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 6.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6612C-060是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~6.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 6.000GHz, NC6642C-060 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 6.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6642C-060是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~6.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 7.000GHz, NC6616C-070 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 7.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6616C-070是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~7.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, NC6617C-080 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6617C-080是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 9.500GHz, NC6618C-095 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 9.500 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6618C-095是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~9.500GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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