滤波器
搜索结果 9:
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带通滤波器, 滤波器
1.000 to 1.500GHz, F00379 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 1.000 – 1.500 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00379是一款低通滤波器芯片,通带频率为1.000~1.500GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
1.300 to 1.340GHz, F00535 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 1.300 – 1.340 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00535是一款低通滤波器芯片,通带频率为1.300~1.340GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
1.501 to 1.561GHz, F00223 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 1.501 – 1.561 GHz
- 损耗: 3.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00223是一款低通滤波器芯片,通带频率为1.501~1.561GHz,通带插损3.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
28.800 to 31.400GHz, STBP301-2R6-C388 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 28.800 – 31.400 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP301-2R6-C388是一款低通滤波器芯片,通带频率为28.800~31.400GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.340GHz, F00537 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.340 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00537是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.340GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, F00479 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00479是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.500GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, IFL-1.5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-1.5是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.500GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, NC6603C-015 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6603C-015是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.500GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, XC-LF-1P5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-1P5是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~1.500GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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