滤波器
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带通滤波器, 滤波器
15.000 to 17.000GHz, STBP160-2R0-D441 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 15.000 – 17.000 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP160-2R0-D441是一款低通滤波器芯片,通带频率为15.000~17.000GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
15.000 to 17.000GHz, STBP160-2R0-D572 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 15.000 – 17.000 GHz
- 损耗: 2.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP160-2R0-D572是一款低通滤波器芯片,通带频率为15.000~17.000GHz,通带插损2.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
31.100 to 36.700GHz, STBP339-5R6-C381 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 31.100 – 36.700 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP339-5R6-C381是一款低通滤波器芯片,通带频率为31.100~36.700GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
31.900 to 36.700GHz, STBP343-4R8-C322 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 31.900 – 36.700 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP343-4R8-C322是一款低通滤波器芯片,通带频率为31.900~36.700GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
4.000 to 10.000GHz, F00525 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.000 – 10.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 10.8 dB
- 功率 : 15.0 W
- 描述 : F00525是一款低通滤波器芯片,通带频率为4.000~10.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 10.000GHz, F00730 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 10.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 10.8 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00730是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~10.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 10.000GHz, STBP8R0-4R0-D442 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 10.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP8R0-4R0-D442是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~10.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
8.000 to 10.500GHz, F00268 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 8.000 – 10.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 11.7 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00268是一款低通滤波器芯片,通带频率为8.000~10.500GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
9.500 to 10.500GHz, STBP100-1R0-D649 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 9.500 – 10.500 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP100-1R0-D649是一款低通滤波器芯片,通带频率为9.500~10.500GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, IFL-10 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 2.6 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-10是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~10.000GHz,通带插损2.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, MH172 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 16.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH172是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~10.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, NC6619C-010 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6619C-010是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~10.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, XC-LF-10 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 2.1 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-10是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~10.000GHz,通带插损2.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.000GHz, IFL-17 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-17是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~17.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.000GHz, MH179 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH179是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~17.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.000GHz, NC6623C-017 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.000 GHz
- 损耗: 2.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6623C-017是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~17.000GHz,通带插损2.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.000GHz, STLP170-L032 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.000 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP170-L032是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~17.000GHz,通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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