滤波器
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带通滤波器, 滤波器
10.000 to 11.000GHz, NC6673C-1011 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.000 – 11.000 GHz
- 损耗: 4.0 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6673C-1011是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.000~11.000GHz,通带插损4.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
11.000 to 13.000GHz, F00272 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.000 – 13.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00272是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.000~13.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.200 to 30.600GHz, STBP249-114-A408 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.200 – 30.600 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP249-114-A408是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.200~30.600GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
26.600 to 30.600GHz, STBP286-4R0-C605 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 26.600 – 30.600 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP286-4R0-C605是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.600~30.600GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
4.000 to 8.000GHz, F00255 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.000 – 8.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00255是一款低通滤波器芯片,通带频率为4.000~8.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
5.500 to 8.000GHz, F00266 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 5.500 – 8.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 11.7 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00266是一款低通滤波器芯片,通带频率为5.500~8.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 11.000GHz, STBP8R5-6R0-A430 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 11.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP8R5-6R0-A430是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~11.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
6.000 to 13.000GHz, STHP6R0-H640 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 13.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP6R0-H640是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~13.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.500 to 8.000GHz, NC6672C-6580 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.500 – 8.000 GHz
- 损耗: 4.5 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6672C-6580是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.500~8.000GHz,通带插损4.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
8.000 to 11.000GHz, F00261 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 8.000 – 11.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00261是一款低通滤波器芯片,通带频率为8.000~11.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
8.000 to 11.000GHz, STBP9R5-3R0-D458 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 8.000 – 11.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP9R5-3R0-D458是一款低通滤波器芯片,通带频率为8.000~11.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 11.000GHz, MH173 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 11.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH173是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~11.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 11.000GHz, STLP110-L026 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 11.000 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP110-L026是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~11.000GHz,通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 13.000GHz, IFL-13 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 13.000 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-13是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~13.000GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 13.000GHz, MH175 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 13.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH175是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~13.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 13.000GHz, NC6620C-013 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 13.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6620C-013是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~13.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 13.000GHz, STLP130-L028 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 13.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP130-L028是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~13.000GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 13.000GHz, XC-LF-13 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 13.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-13是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~13.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, F00577 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 9.5 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00577是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, F00696 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 11.7 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00696是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, IFL-8 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-8是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, MH170 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 16.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH170是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, NC6617C-080 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6617C-080是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, STLP8R0-L023 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP8R0-L023是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, STLP8R0-L622 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 0.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP8R0-L622是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损0.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 8.000GHz, XC-LF-8 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 8.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-8是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~8.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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