滤波器
搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
11.400 to 15.200GHz, F00099 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.400 – 15.200 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 9.5 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00099是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.400~15.200GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.800 to 15.200GHz, STBP140-2R4-D440 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.800 – 15.200 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP140-2R4-D440是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.800~15.200GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.000 to 15.200GHz, STBP141-2R2-D558 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.000 – 15.200 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP141-2R2-D558是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.000~15.200GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
15.800 to 17.900GHz, STBP169-2R1-A256 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 15.800 – 17.900 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP169-2R1-A256是一款低通滤波器芯片,通带频率为15.800~17.900GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
16.100 to 17.900GHz, STBP170-1R8-D579 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 16.100 – 17.900 GHz
- 损耗: 2.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP170-1R8-D579是一款低通滤波器芯片,通带频率为16.100~17.900GHz,通带插损2.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
21.700 to 23.700GHz, STBP227-2R0-A206 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 21.700 – 23.700 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP227-2R0-A206是一款低通滤波器芯片,通带频率为21.700~23.700GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
27.800 to 34.400GHz, STBP311-6R6-C278 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 27.800 – 34.400 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP311-6R6-C278是一款低通滤波器芯片,通带频率为27.800~34.400GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
29.000 to 34.400GHz, STBP317-5R4-A420 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 29.000 – 34.400 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP317-5R4-A420是一款低通滤波器芯片,通带频率为29.000~34.400GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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