滤波器
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带通滤波器, 滤波器
13.800 to 16.200GHz, STBP150-2R4-D653 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.800 – 16.200 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP150-2R4-D653是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.800~16.200GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
17.200 to 25.000GHz, STBP211-7R8-A359 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.200 – 25.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP211-7R8-A359是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.200~25.000GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
17.900 to 22.900GHz, STBP204-5R0-D569 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.900 – 22.900 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP204-5R0-D569是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.900~22.900GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.600 to 25.000GHz, STBP223-5R4-A591 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.600 – 25.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP223-5R4-A591是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.600~25.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
22.000 to 25.000GHz, NC6687C-2225 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 22.000 – 25.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6687C-2225是一款低通滤波器芯片,通带频率为22.000~25.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
22.000 to 25.000GHz, STBP235-3R0-D387 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 22.000 – 25.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP235-3R0-D387是一款低通滤波器芯片,通带频率为22.000~25.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
23.800 to 25.000GHz, STBP244-1R2-C312 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 23.800 – 25.000 GHz
- 损耗: 2.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP244-1R2-C312是一款低通滤波器芯片,通带频率为23.800~25.000GHz,通带插损2.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.200 to 8.300GHz, STBP7R8-1R1-D647 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.200 – 8.300 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP7R8-1R1-D647是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.200~8.300GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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