滤波器
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高通滤波器, 滤波器
10.000 to 23.000GHz, STHP100-H062 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP100-H062是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.000~23.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
10.000 to 40.000GHz, NC6636C-1040 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 3.0 dB
- 回波损耗 : 13.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6636C-1040是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.000~40.000GHz,通带插损3.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.000 to 23.000GHz, STBP185-9R0-A334 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP185-9R0-A334是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.000~23.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
16.000 to 40.000GHz, XC-HF-16 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 16.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.1 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-HF-16是一款低通滤波器芯片,通带频率为16.000~40.000GHz,通带插损2.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
16.500 to 40.000GHz, STHP165-H070 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 16.500 – 40.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP165-H070是一款低通滤波器芯片,通带频率为16.500~40.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
18.000 to 40.000GHz, F00418 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 18.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 3.0 dB
- 回波损耗 : 8.5 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00418是一款低通滤波器芯片,通带频率为18.000~40.000GHz,通带插损3.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
18.000 to 40.000GHz, XC-HF-18 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 18.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-HF-18是一款低通滤波器芯片,通带频率为18.000~40.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.000 to 23.000GHz, IFL-1923 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-1923是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.000~23.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.000 to 23.000GHz, NC6638C-1923 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 2.1 dB
- 回波损耗 : 1.6 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6638C-1923是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.000~23.000GHz,通带插损2.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.000 to 23.000GHz, NC6639C-1923 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 1.6 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6639C-1923是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.000~23.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
19.000 to 40.000GHz, NC6646C-1940 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6646C-1940是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.000~40.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
20.000 to 40.000GHz, XC-HF-20 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 20.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-HF-20是一款低通滤波器芯片,通带频率为20.000~40.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
22.500 to 23.000GHz, STBP227-0R5-D459 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 22.500 – 23.000 GHz
- 损耗: 3.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP227-0R5-D459是一款低通滤波器芯片,通带频率为22.500~23.000GHz,通带插损3.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
24.000 to 40.000GHz, MH186 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 24.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH186是一款低通滤波器芯片,通带频率为24.000~40.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
26.000 to 40.000GHz, F00457 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 26.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 4.0 dB
- 回波损耗 : 9.5 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00457是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.000~40.000GHz,通带插损4.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
26.000 to 40.000GHz, F00490 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 26.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 9.5 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00490是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.000~40.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
26.000 to 40.000GHz, STBP330-140-C607 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 26.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP330-140-C607是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.000~40.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
30.000 to 40.000GHz, F00344 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 30.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00344是一款低通滤波器芯片,通带频率为30.000~40.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
32.000 to 40.000GHz, NC6661C-3240 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 32.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6661C-3240是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.000~40.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
36.600 to 40.000GHz, STBP383-3R4-C611 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 36.600 – 40.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP383-3R4-C611是一款低通滤波器芯片,通带频率为36.600~40.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
46.000 to 52.500GHz, NC66100C-4652 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 46.000 – 52.500 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC66100C-4652是一款低通滤波器芯片,通带频率为46.000~52.500GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 7.100GHz, STBP6R6-1R1-D646 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 7.100 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP6R6-1R1-D646是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~7.100GHz,通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
7.000 to 40.000GHz, NC6635C-740 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 13.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6635C-740是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.000~40.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
8.000 to 40.000GHz, NC6624C-840 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 8.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6624C-840是一款低通滤波器芯片,通带频率为8.000~40.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
9.000 to 40.000GHz, NC6645C-940 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 9.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6645C-940是一款低通滤波器芯片,通带频率为9.000~40.000GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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