滤波器
搜索结果 17:
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高通滤波器, 滤波器
1.700 to 5.000GHz, NC6614C-1705 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 1.700 – 5.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6614C-1705是一款低通滤波器芯片,通带频率为1.700~5.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
11.000 to 28.000GHz, STBP195-170-H063 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.000 – 28.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP195-170-H063是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.000~28.000GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.000 to 28.000GHz, STBP200-160-H064 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.000 – 28.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP200-160-H064是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.000~28.000GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
12.000 to 28.000GHz, STHP120-H064 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.000 – 28.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP120-H064是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.000~28.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
13.000 to 28.000GHz, STHP130-H065 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.000 – 28.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP130-H065是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.000~28.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
22.800 to 28.000GHz, F00230 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 22.800 – 28.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 9.5 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : F00230是一款低通滤波器芯片,通带频率为22.800~28.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
26.500 to 27.300GHz, F00580 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 26.500 – 27.300 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00580是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.500~27.300GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
3.000 to 5.000GHz, F00264 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 3.000 – 5.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 11.7 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00264是一款低通滤波器芯片,通带频率为3.000~5.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
4.000 to 5.000GHz, STBP4R5-1R0-D644 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.000 – 5.000 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP4R5-1R0-D644是一款低通滤波器芯片,通带频率为4.000~5.000GHz,通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
4.400 to 5.000GHz, STBP4R7-0R6-B265 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.400 – 5.000 GHz
- 损耗: 4.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP4R7-0R6-B265是一款低通滤波器芯片,通带频率为4.400~5.000GHz,通带插损4.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.500 to 8.500GHz, F00729 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.500 – 8.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00729是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.500~8.500GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.800 to 8.500GHz, F00246 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.800 – 8.500 GHz
- 损耗: 3.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00246是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.800~8.500GHz,通带插损3.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.000GHz, IFL-5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-5是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~5.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.000GHz, MH167 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH167是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~5.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.000GHz, NC6610C-050 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6610C-050是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~5.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.000GHz, STLP5R0-L020 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP5R0-L020是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~5.000GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.000GHz, XC-LF-5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-5是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~5.000GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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