滤波器
搜索结果 9:
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带通滤波器, 滤波器
1.500 to 2.000GHz, F00316 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 1.500 – 2.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00316是一款低通滤波器芯片,通带频率为1.500~2.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.000 to 16.000GHz, F00152 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.000 – 16.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00152是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.000~16.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.000 to 16.000GHz, STBP150-2R0-D571 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.000 – 16.000 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP150-2R0-D571是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.000~16.000GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
20.200 to 21.200GHz, F00653 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 20.200 – 21.200 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00653是一款低通滤波器芯片,通带频率为20.200~21.200GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 16.000GHz, MH178 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 16.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH178是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~16.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.000GHz, IFL-2 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.000 GHz
- 损耗: 1.1 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-2是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.000GHz,通带插损1.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.000GHz, MH164 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : MH164是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.000GHz, NC6604C-020 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6604C-020是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.000GHz, XC-LF-2 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-2是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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