芯片电容
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芯片电容, 基础元器件
10000pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-90-25V-103
- 容值/容差:10000pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@25V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:2.290*2.290*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
10000pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C11-90-25V-103
- 容值/容差:10000pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@25V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:2.290*2.290*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-30-50V-102
- 容值/容差:1000pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@50V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C11-30-50V-102
- 容值/容差:1000pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@50V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, ≥1G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C13-0805-50V-102
- 容值/容差:1000pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@50V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:2.032*1.27*0.178 mm
- 性能特点:采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围:-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, 20%, 多层芯片电容(镀金焊盘)
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C14-0202-100V-102
- 容值/容差:1000pF / 20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:20%
- 损耗@频率:100V
- 封装尺寸:0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点:电容器ESL小,谐振频率高;适合键合组装方式,与半导体芯片相同的装配工艺;容量高,相比单层陶瓷电容器体积更小,可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪;微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域,可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-30-100V-101
- 容值/容差:100pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C11-25-100V-101
- 容值/容差:100pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.635*0.635*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-15-50V-101
- 容值/容差:100pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@50V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥1G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C13-0402-50V-101
- 容值/容差:100pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@50V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:1.016*0.5*0.178 mm
- 性能特点:采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围:-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
100pF, 20%, 多层芯片电容(镀金焊盘)
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C14-0202-100V-101
- 容值/容差:100pF / 20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:20%
- 损耗@频率:100V
- 封装尺寸:0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点:电容器ESL小,谐振频率高;适合键合组装方式,与半导体芯片相同的装配工艺;容量高,相比单层陶瓷电容器体积更小,可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪;微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域,可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
10pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-15-100V-100
- 容值/容差:10pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
10pF, ≥100G@100V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C13-0402-100V-100
- 容值/容差:10pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:1.016*0.5*0.178 mm
- 性能特点:采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围:-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
2200pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-40-25V-222
- 容值/容差:2200pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@25V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:1.016*1.016*0.150 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
2200pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C11-40-25V-222
- 容值/容差:2200pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@25V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:1.016*1.016*0.150 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
220pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C11-15-50V-221
- 容值/容差:220pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@50V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试; 普军级及以上产品,请联系在线客服索取报价; 科研、院校等单位可申请5-100万预授信(联系客服) 射频易商城(成都仓库)发货,并提供售后服务 SKU: C11-15-50V-221 -
芯片电容, 基础元器件
22pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-20-100V-220
- 容值/容差:22pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.508*0.508*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
22pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C11-15-100V-220
- 容值/容差:22pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试; 普军级及以上产品,请联系在线客服索取报价; 科研、院校等单位可申请5-100万预授信(联系客服) 射频易商城(成都仓库)发货,并提供售后服务 SKU: C11-15-100V-220 -
芯片电容, 基础元器件
3300pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-50-25V-332
- 容值/容差:3300pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@25V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:1.270*1.270*0.150 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试; 普军级及以上产品,请联系在线客服索取报价; 科研、院校等单位可申请5-100万预授信(联系客服) 射频易商城(成都仓库)发货,并提供售后服务 SKU: C12-50-25V-332 -
芯片电容, 基础元器件
3300pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C11-50-25V-332
- 容值/容差:3300pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@25V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:1.270*1.270*0.150 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试; 普军级及以上产品,请联系在线客服索取报价; 科研、院校等单位可申请5-100万预授信(联系客服) 射频易商城(成都仓库)发货,并提供售后服务 SKU: C11-50-25V-332 -
芯片电容, 基础元器件
3300pF, 20%, 多层芯片电容(镀金焊盘)
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C14-0202-25V-332
- 容值/容差:3300pF / 20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:20%
- 损耗@频率:25V
- 封装尺寸:0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点:电容器ESL小,谐振频率高;适合键合组装方式,与半导体芯片相同的装配工艺;容量高,相比单层陶瓷电容器体积更小,可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪;微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域,可替代部分单层电容。
射频易商城 官方自营、100%测试; 普军级及以上产品,请联系在线客服索取报价; 科研、院校等单位可申请5-100万预授信(联系客服) 射频易商城(成都仓库)发货,并提供售后服务 SKU: C14-0202-25V-332 -
芯片电容, 基础元器件
3300pF, 20%, 多层芯片电容(镀金焊盘)
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C14-0303-100V-332
- 容值/容差:3300pF / 20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:20%
- 损耗@频率:100V
- 封装尺寸:0.8*0.8*0.5 mm
- 性能特点:电容器ESL小,谐振频率高;适合键合组装方式,与半导体芯片相同的装配工艺;容量高,相比单层陶瓷电容器体积更小,可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪;微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域,可替代部分单层电容。
射频易商城 官方自营、100%测试; 普军级及以上产品,请联系在线客服索取报价; 科研、院校等单位可申请5-100万预授信(联系客服) 射频易商城(成都仓库)发货,并提供售后服务 SKU: C14-0303-100V-332 -
芯片电容, 基础元器件
330pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-25-50V-331
- 容值/容差:330pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@50V
- 损耗@频率:≤2.5@1MHz
- 封装尺寸:0.635*0.635*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试; 普军级及以上产品,请联系在线客服索取报价; 科研、院校等单位可申请5-100万预授信(联系客服) 射频易商城(成都仓库)发货,并提供售后服务 SKU: C12-25-50V-331 -
芯片电容, 基础元器件
330pF, ≥1G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C13-0603-50V-331
- 容值/容差:330pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥1G@50V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:1.524*0.762*0.178 mm
- 性能特点:采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围:-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
330pF, 20%, 多层芯片电容(镀金焊盘)
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C14-0202-100V-331
- 容值/容差:330pF / 20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:20%
- 损耗@频率:100V
- 封装尺寸:0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点:电容器ESL小,谐振频率高;适合键合组装方式,与半导体芯片相同的装配工艺;容量高,相比单层陶瓷电容器体积更小,可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪;微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域,可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
33pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-20-100V-330
- 容值/容差:33pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.508*0.508*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
33pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C11-15-100V-330
- 容值/容差:33pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
33pF, ≥100G@100V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C13-0402-100V-330
- 容值/容差:33pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:1.016*0.5*0.178 mm
- 性能特点:采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围:-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
33pF, ≥100G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C13-0201-50V-330
- 容值/容差:33pF / ±20%
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@50V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.508*0.254*0.178 mm
- 性能特点:采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围:-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
4.7pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌:丽芯微电子
- 型号:C12-15-100V-4R7
- 容值/容差:4.7pF / ±0.5pF
- 温度系数:±15%@-55~+125℃
- 绝缘电阻@电压:≥100G@100V
- 损耗@频率:≤4.0@1KHz
- 封装尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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