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芯片电容, 基础元器件
8.2pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
品牌:丽芯微电子
型号:C12-15-100V-8R2
容值/容差:8.2pF / ±0.5pF
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥100G@100V
损耗@频率:≤4.0@1KHz
封装尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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SKU: C12-15-100V-8R2
芯片电容, 基础元器件
3300pF, 20%, 多层芯片电容(镀金焊盘)
品牌:丽芯微电子
型号:C14-0303-100V-332
容值/容差:3300pF / 20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:20%
损耗@频率:100V
封装尺寸:0.8*0.8*0.5 mm
性能特点:电容器ESL小,谐振频率高;适合键合组装方式,与半导体芯片相同的装配工艺;容量高,相比单层陶瓷电容器体积更小,可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪;微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域,可替代部分单层电容。
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SKU: C14-0303-100V-332
芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
品牌:丽芯微电子
型号:C12-30-100V-101
容值/容差:100pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥100G@100V
损耗@频率:≤4.0@1KHz
封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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SKU: C12-30-100V-101
高通滤波器, 滤波器
7.000 to 26.500GHz, F00526 高通滤波器,滤波器
频率 : 7.000 – 26.500 GHz
损耗: 2.0 dB
回波损耗 : 7.3 dB
功率 : 15.0 W
描述 : F00526是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.000~26.500GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00526