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芯片电容, 基础元器件
2200pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
品牌：丽芯微电子
型号：C12-40-25V-222
容值/容差：2200pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@25V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：1.016*1.016*0.150 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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SKU: C12-40-25V-222
带通滤波器, 滤波器
7.600 to 11.400GHz, F00098 带通滤波器,滤波器
频率 : 7.600 – 11.400 GHz
损耗: 2.5 dB
回波损耗 : 9.5 dB
功率 : 1.0 W
描述 : F00098是一款低通滤波器芯片，通带频率为7.600~11.400GHz，通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00098
带通滤波器, 滤波器
13.750 to 16.250GHz, F00236 带通滤波器,滤波器
频率 : 13.750 – 16.250 GHz
损耗: 1.0 dB
回波损耗 : 14.0 dB
功率 : 1.0 W
描述 : F00236是一款低通滤波器芯片，通带频率为13.750~16.250GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00236
带通滤波器, 滤波器
9.561 to 9.911GHz, F00296 带通滤波器,滤波器
频率 : 9.561 – 9.911 GHz
损耗: 2.0 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 5.0 W
描述 : F00296是一款低通滤波器芯片，通带频率为9.561~9.911GHz，通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00296
带通滤波器, 滤波器
20.000 to 28.100GHz, F00432 带通滤波器,滤波器
频率 : 20.000 – 28.100 GHz
损耗: 2.5 dB
回波损耗 : 9.5 dB
功率 : 1.0 W
描述 : F00432是一款低通滤波器芯片，通带频率为20.000~28.100GHz，通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00432
带通滤波器, 滤波器
4.200 to 5.900GHz, F00569 带通滤波器,滤波器
频率 : 4.200 – 5.900 GHz
损耗: 2.0 dB
回波损耗 : 11.7 dB
功率 : 1.0 W
描述 : F00569是一款低通滤波器芯片，通带频率为4.200~5.900GHz，通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00569
低通滤波器, 滤波器
DC to 0.500GHz, NC6601C-005 低通滤波器,滤波器
频率 : DC – 0.500 GHz
损耗: 1.0 dB
回波损耗 : 15.0 dB
功率 : W
描述 : NC6601C-005是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.500GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: NC6601C-005
高通滤波器, 滤波器
10.000 to 40.000GHz, NC6636C-1040 高通滤波器,滤波器
频率 : 10.000 – 40.000 GHz
损耗: 3.0 dB
回波损耗 : 13.0 dB
功率 : W
描述 : NC6636C-1040是一款低通滤波器芯片，通带频率为10.000~40.000GHz，通带插损3.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: NC6636C-1040
芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
品牌：丽芯微电子
型号：C12-30-100V-101
容值/容差：100pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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SKU: C12-30-100V-101
带通滤波器, 滤波器
32.400 to 37.000GHz, STBP347-4R6-C395 带通滤波器,滤波器
频率 : 32.400 – 37.000 GHz
损耗: 1.3 dB
回波损耗 : 15.0 dB
功率 : 3.0 W
描述 : STBP347-4R6-C395是一款低通滤波器芯片，通带频率为32.400~37.000GHz，通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STBP347-4R6-C395
高通滤波器, 滤波器
17.000 to 37.000GHz, STHP170-H069 高通滤波器,滤波器
频率 : 17.000 – 37.000 GHz
损耗: 0.8 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 0.3 W
描述 : STHP170-H069是一款低通滤波器芯片，通带频率为17.000~37.000GHz，通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STHP170-H069
低通滤波器, 滤波器
DC to 6.000GHz, XC-LF-6 低通滤波器,滤波器
频率 : DC – 6.000 GHz
损耗: 1.5 dB
回波损耗 : 18.0 dB
功率 : W
描述 : XC-LF-6是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~6.000GHz，通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: XC-LF-6
芯片电容, 基础元器件
1000pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容
品牌：丽芯微电子
型号：C11-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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SKU: C11-30-50V-102
芯片电容, 基础元器件
3300pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
品牌：丽芯微电子
型号：C14-0303-100V-332
容值/容差：3300pF / 20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：20%
损耗@频率：100V
封装尺寸：0.8*0.8*0.5 mm
性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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SKU: C14-0303-100V-332
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