康迈微 / 斯普瑞斯
搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
10.100 to 13.500GHz, STBP118-3R4-D501 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.100 – 13.500 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP118-3R4-D501是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.100~13.500GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
11.200 to 18.300GHz, STBP148-7R1-A332 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.200 – 18.300 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP148-7R1-A332是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.200~18.300GHz,通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.500 to 18.300GHz, STBP159-4R8-A351 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.500 – 18.300 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP159-4R8-A351是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.500~18.300GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.100 to 18.300GHz, STBP162-4R2-A352 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.100 – 18.300 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP162-4R2-A352是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.100~18.300GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
24.600 to 33.000GHz, STBP288-8R4-C363 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 24.600 – 33.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP288-8R4-C363是一款低通滤波器芯片,通带频率为24.600~33.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
24.800 to 30.400GHz, STBP276-5R6-A419 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 24.800 – 30.400 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP276-5R6-A419是一款低通滤波器芯片,通带频率为24.800~30.400GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
28.300 to 33.000GHz, STBP307-4R7-A394 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 28.300 – 33.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP307-4R7-A394是一款低通滤波器芯片,通带频率为28.300~33.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
8.500 to 13.500GHz, STBP110-5R0-A511 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 8.500 – 13.500 GHz
- 损耗: 1.1 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP110-5R0-A511是一款低通滤波器芯片,通带频率为8.500~13.500GHz,通带插损1.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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