康迈微 / 斯普瑞斯
搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
11.600 to 15.800GHz, STBP137-4R2-D652 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.600 – 15.800 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP137-4R2-D652是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.600~15.800GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.700 to 15.800GHz, STBP148-2R1-A255 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.700 – 15.800 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP148-2R1-A255是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.700~15.800GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.900 to 18.100GHz, STBP165-3R2-D318 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.900 – 18.100 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP165-3R2-D318是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.900~18.100GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
17.800 to 18.100GHz, STBP179-0R3-C438 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.800 – 18.100 GHz
- 损耗: 2.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP179-0R3-C438是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.800~18.100GHz,通带插损2.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
18.100 to 26.100GHz, STBP221-8R0-A358 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 18.100 – 26.100 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP221-8R0-A358是一款低通滤波器芯片,通带频率为18.100~26.100GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.900 to 26.100GHz, STBP230-6R0-A629 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.900 – 26.100 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP230-6R0-A629是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.900~26.100GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
4.420 to 4.520GHz, STBP4R5-0R1-D635 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.420 – 4.520 GHz
- 损耗: 4.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP4R5-0R1-D635是一款低通滤波器芯片,通带频率为4.420~4.520GHz,通带插损4.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 15.800GHz, STLP158-L031 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 15.800 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP158-L031是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~15.800GHz,通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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