康迈微 / 斯普瑞斯
搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
15.500 to 16.900GHz, STBP162-1R4-D508 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 15.500 – 16.900 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP162-1R4-D508是一款低通滤波器芯片,通带频率为15.500~16.900GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
22.200 to 27.600GHz, STBP249-5R4-A592 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 22.200 – 27.600 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP249-5R4-A592是一款低通滤波器芯片,通带频率为22.200~27.600GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
26.500 to 37.700GHz, STBP321-112-C535 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 26.500 – 37.700 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP321-112-C535是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.500~37.700GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
32.300 to 37.700GHz, STBP349-5R6-C642 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 32.300 – 37.700 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP349-5R6-C642是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.300~37.700GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
33.300 to 37.700GHz, STBP355-4R4-C596 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 33.300 – 37.700 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP355-4R4-C596是一款低通滤波器芯片,通带频率为33.300~37.700GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.300 to 8.100GHz, STBP7R7-0R8-D555 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.300 – 8.100 GHz
- 损耗: 2.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP7R7-0R8-D555是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.300~8.100GHz,通带插损2.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.900 to 8.100GHz, STBP8R0-0R2-A248 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.900 – 8.100 GHz
- 损耗: 5.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP8R0-0R2-A248是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.900~8.100GHz,通带插损5.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.940 to 8.100GHz, STBP8R0-0R2-D429 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.940 – 8.100 GHz
- 损耗: 5.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP8R0-0R2-D429是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.940~8.100GHz,通带插损5.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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