康迈微 / 斯普瑞斯
搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
10.000 to 24.800GHz, STBP174-148-H062 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.000 – 24.800 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP174-148-H062是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.000~24.800GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
11.200 to 18.300GHz, STBP148-7R1-A332 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.200 – 18.300 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP148-7R1-A332是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.200~18.300GHz,通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.500 to 18.300GHz, STBP159-4R8-A351 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.500 – 18.300 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP159-4R8-A351是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.500~18.300GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.100 to 18.300GHz, STBP162-4R2-A352 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.100 – 18.300 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP162-4R2-A352是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.100~18.300GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.900 to 20.300GHz, STBP176-5R4-A585 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.900 – 20.300 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP176-5R4-A585是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.900~20.300GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
15.000 to 17.000GHz, STBP160-2R0-D441 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 15.000 – 17.000 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP160-2R0-D441是一款低通滤波器芯片,通带频率为15.000~17.000GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
15.000 to 17.000GHz, STBP160-2R0-D572 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 15.000 – 17.000 GHz
- 损耗: 2.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP160-2R0-D572是一款低通滤波器芯片,通带频率为15.000~17.000GHz,通带插损2.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.000GHz, STLP170-L032 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.000 GHz
- 损耗: 0.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STLP170-L032是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~17.000GHz,通带插损0.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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