康迈微 / 斯普瑞斯
搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
11.200 to 18.300GHz, STBP148-7R1-A332 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.200 – 18.300 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP148-7R1-A332是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.200~18.300GHz,通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.500 to 18.300GHz, STBP159-4R8-A351 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.500 – 18.300 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP159-4R8-A351是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.500~18.300GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.100 to 18.300GHz, STBP162-4R2-A352 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.100 – 18.300 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP162-4R2-A352是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.100~18.300GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
17.500 to 23.800GHz, STBP207-6R3-A357 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.500 – 23.800 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP207-6R3-A357是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.500~23.800GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
38.500 to 50.000GHz, STBP443-115-C345 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 38.500 – 50.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP443-115-C345是一款低通滤波器芯片,通带频率为38.500~50.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
39.000 to 50.000GHz, STBP445-110-C343 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 39.000 – 50.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP445-110-C343是一款低通滤波器芯片,通带频率为39.000~50.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
40.600 to 50.000GHz, STBP453-9R4-C626 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 40.600 – 50.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP453-9R4-C626是一款低通滤波器芯片,通带频率为40.600~50.000GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 8.900GHz, STBP7R5-3R0-D444 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 8.900 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP7R5-3R0-D444是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~8.900GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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