芯谷微电子
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低通滤波器, 滤波器
DC to 0.500GHz, IFL-0.5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 0.500 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-0.5是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~0.500GHz，通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.000GHz, IFL-1 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-1是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.000GHz，通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 1.500GHz, IFL-1.5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 1.500 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-1.5是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~1.500GHz，通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 10.000GHz, IFL-10 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 10.000 GHz
- 损耗: 2.6 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-10是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~10.000GHz，通带插损2.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 13.000GHz, IFL-13 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 13.000 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-13是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~13.000GHz，通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 14.000GHz, IFL-14 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 14.000 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-14是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~14.000GHz，通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 17.000GHz, IFL-17 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 17.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-17是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~17.000GHz，通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 19.000GHz, IFL-19 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 19.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-19是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~19.000GHz，通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.000GHz, IFL-2 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.000 GHz
- 损耗: 1.1 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-2是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~2.000GHz，通带插损1.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.500GHz, IFL-2.5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.500 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-2.5是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~2.500GHz，通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 3.000GHz, IFL-3 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 3.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-3是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~3.000GHz，通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 3.500GHz, IFL-3.5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 3.500 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-3.5是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~3.500GHz，通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 4.000GHz, IFL-4 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 4.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-4是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~4.000GHz，通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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