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搜索结果 8:
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高通滤波器, 滤波器
17.000 to 37.000GHz, STHP170-H069 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP170-H069是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.000~37.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
18.000 to 21.300GHz, STBP197-3R3-D386 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 18.000 – 21.300 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP197-3R3-D386是一款低通滤波器芯片,通带频率为18.000~21.300GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.300 to 21.300GHz, STBP203-2R0-D563 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.300 – 21.300 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP203-2R0-D563是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.300~21.300GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
20.700 to 21.300GHz, STBP210-0R6-E523 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 20.700 – 21.300 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP210-0R6-E523是一款低通滤波器芯片,通带频率为20.700~21.300GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
32.400 to 37.000GHz, STBP347-4R6-C395 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 32.400 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP347-4R6-C395是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.400~37.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
33.000 to 37.000GHz, STBP350-4R0-C588 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 33.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP350-4R0-C588是一款低通滤波器芯片,通带频率为33.000~37.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.100 to 7.300GHz, STBP7R2-0R2-A247 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.100 – 7.300 GHz
- 损耗: 4.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP7R2-0R2-A247是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.100~7.300GHz,通带插损4.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
9.800 to 11.600GHz, STBP107-1R8-A254 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 9.800 – 11.600 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP107-1R8-A254是一款低通滤波器芯片,通带频率为9.800~11.600GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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