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搜索结果 8:
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高通滤波器, 滤波器
14.000 to 30.000GHz, STHP140-H066 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.000 – 30.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP140-H066是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.000~30.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
17.000 to 37.000GHz, STHP170-H069 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP170-H069是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.000~37.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
25.000 to 30.000GHz, STBP275-5R0-A593 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 25.000 – 30.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP275-5R0-A593是一款低通滤波器芯片,通带频率为25.000~30.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
31.100 to 36.700GHz, STBP339-5R6-C381 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 31.100 – 36.700 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP339-5R6-C381是一款低通滤波器芯片,通带频率为31.100~36.700GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
31.900 to 36.700GHz, STBP343-4R8-C322 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 31.900 – 36.700 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP343-4R8-C322是一款低通滤波器芯片,通带频率为31.900~36.700GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
32.400 to 37.000GHz, STBP347-4R6-C395 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 32.400 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP347-4R6-C395是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.400~37.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
33.000 to 37.000GHz, STBP350-4R0-C588 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 33.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP350-4R0-C588是一款低通滤波器芯片,通带频率为33.000~37.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.700 to 11.900GHz, STBP9R8-4R2-A348 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.700 – 11.900 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP9R8-4R2-A348是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.700~11.900GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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