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搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
10.500 to 12.500GHz, STBP115-2R0-D650 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.500 – 12.500 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP115-2R0-D650是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.500~12.500GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.900 to 20.300GHz, STBP176-5R4-A585 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.900 – 20.300 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP176-5R4-A585是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.900~20.300GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
17.000 to 37.000GHz, STHP170-H069 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP170-H069是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.000~37.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
20.200 to 23.200GHz, STBP217-3R0-D456 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 20.200 – 23.200 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP217-3R0-D456是一款低通滤波器芯片,通带频率为20.200~23.200GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
21.600 to 23.200GHz, STBP224-1R6-E470 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 21.600 – 23.200 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP224-1R6-E470是一款低通滤波器芯片,通带频率为21.600~23.200GHz,通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
32.400 to 37.000GHz, STBP347-4R6-C395 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 32.400 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP347-4R6-C395是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.400~37.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
33.000 to 37.000GHz, STBP350-4R0-C588 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 33.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP350-4R0-C588是一款低通滤波器芯片,通带频率为33.000~37.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
7.500 to 12.500GHz, STBP100-5R0-A330 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 7.500 – 12.500 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP100-5R0-A330是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.500~12.500GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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