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搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
11.500 to 13.900GHz, STBP127-2R4-A253 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.500 – 13.900 GHz
- 损耗: 2.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP127-2R4-A253是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.500~13.900GHz,通带插损2.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.400 to 13.900GHz, STBP132-1R5-D651 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.400 – 13.900 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP132-1R5-D651是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.400~13.900GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.800 to 15.200GHz, STBP140-2R4-D440 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.800 – 15.200 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP140-2R4-D440是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.800~15.200GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.000 to 15.200GHz, STBP141-2R2-D558 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.000 – 15.200 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP141-2R2-D558是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.000~15.200GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
38.500 to 50.000GHz, STBP443-115-C345 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 38.500 – 50.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP443-115-C345是一款低通滤波器芯片,通带频率为38.500~50.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
39.000 to 50.000GHz, STBP445-110-C343 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 39.000 – 50.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP445-110-C343是一款低通滤波器芯片,通带频率为39.000~50.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
40.600 to 50.000GHz, STBP453-9R4-C626 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 40.600 – 50.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP453-9R4-C626是一款低通滤波器芯片,通带频率为40.600~50.000GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 7.100GHz, STBP6R6-1R1-D646 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 7.100 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP6R6-1R1-D646是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~7.100GHz,通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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