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搜索结果 8:
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高通滤波器, 滤波器
10.000 to 23.000GHz, STHP100-H062 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP100-H062是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.000~23.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
11.500 to 13.900GHz, STBP127-2R4-A253 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.500 – 13.900 GHz
- 损耗: 2.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP127-2R4-A253是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.500~13.900GHz,通带插损2.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.400 to 13.900GHz, STBP132-1R5-D651 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.400 – 13.900 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP132-1R5-D651是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.400~13.900GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.000 to 23.000GHz, STBP185-9R0-A334 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.000 – 23.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP185-9R0-A334是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.000~23.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
15.800 to 17.900GHz, STBP169-2R1-A256 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 15.800 – 17.900 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP169-2R1-A256是一款低通滤波器芯片,通带频率为15.800~17.900GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
16.100 to 17.900GHz, STBP170-1R8-D579 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 16.100 – 17.900 GHz
- 损耗: 2.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP170-1R8-D579是一款低通滤波器芯片,通带频率为16.100~17.900GHz,通带插损2.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
21.700 to 23.700GHz, STBP227-2R0-A206 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 21.700 – 23.700 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP227-2R0-A206是一款低通滤波器芯片,通带频率为21.700~23.700GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
22.500 to 23.000GHz, STBP227-0R5-D459 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 22.500 – 23.000 GHz
- 损耗: 3.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP227-0R5-D459是一款低通滤波器芯片,通带频率为22.500~23.000GHz,通带插损3.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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