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搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
12.000 to 15.000GHz, STBP135-3R0-D298 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.000 – 15.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP135-3R0-D298是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.000~15.000GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.700 to 15.000GHz, STBP144-1R3-A405 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.700 – 15.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP144-1R3-A405是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.700~15.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
14.900 to 18.100GHz, STBP165-3R2-D318 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.900 – 18.100 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP165-3R2-D318是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.900~18.100GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
17.200 to 22.600GHz, STBP199-5R4-A417 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.200 – 22.600 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP199-5R4-A417是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.200~22.600GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
17.800 to 18.100GHz, STBP179-0R3-C438 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.800 – 18.100 GHz
- 损耗: 2.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP179-0R3-C438是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.800~18.100GHz,通带插损2.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
18.600 to 22.600GHz, STBP206-4R0-A356 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 18.600 – 22.600 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP206-4R0-A356是一款低通滤波器芯片,通带频率为18.600~22.600GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
23.200 to 31.800GHz, STBP275-8R6-A362 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 23.200 – 31.800 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP275-8R6-A362是一款低通滤波器芯片,通带频率为23.200~31.800GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 15.000GHz, STBP105-9R0-H058 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 15.000 GHz
- 损耗: 0.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP105-9R0-H058是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~15.000GHz,通带插损0.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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