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搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
12.000 to 15.000GHz, STBP135-3R0-D298 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.000 – 15.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP135-3R0-D298是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.000~15.000GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.700 to 15.000GHz, STBP144-1R3-A405 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.700 – 15.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP144-1R3-A405是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.700~15.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
17.000 to 37.000GHz, STHP170-H069 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP170-H069是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.000~37.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
21.700 to 23.700GHz, STBP227-2R0-A206 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 21.700 – 23.700 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP227-2R0-A206是一款低通滤波器芯片,通带频率为21.700~23.700GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
25.000 to 27.500GHz, STBP263-2R5-C244 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 25.000 – 27.500 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 11.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP263-2R5-C244是一款低通滤波器芯片,通带频率为25.000~27.500GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
32.400 to 37.000GHz, STBP347-4R6-C395 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 32.400 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP347-4R6-C395是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.400~37.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
33.000 to 37.000GHz, STBP350-4R0-C588 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 33.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP350-4R0-C588是一款低通滤波器芯片,通带频率为33.000~37.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 15.000GHz, STBP105-9R0-H058 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 15.000 GHz
- 损耗: 0.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP105-9R0-H058是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~15.000GHz,通带插损0.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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