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搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
12.800 to 15.200GHz, STBP140-2R4-D440 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.800 – 15.200 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP140-2R4-D440是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.800~15.200GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.000 to 15.200GHz, STBP141-2R2-D558 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.000 – 15.200 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP141-2R2-D558是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.000~15.200GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
17.000 to 37.000GHz, STHP170-H069 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP170-H069是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.000~37.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
20.900 to 22.000GHz, STBP215-1R1-C360 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 20.900 – 22.000 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP215-1R1-C360是一款低通滤波器芯片,通带频率为20.900~22.000GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
31.900 to 33.900GHz, STBP329-2R0-C389 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 31.900 – 33.900 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP329-2R0-C389是一款低通滤波器芯片,通带频率为31.900~33.900GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
32.400 to 37.000GHz, STBP347-4R6-C395 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 32.400 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP347-4R6-C395是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.400~37.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
33.000 to 37.000GHz, STBP350-4R0-C588 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 33.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP350-4R0-C588是一款低通滤波器芯片,通带频率为33.000~37.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
9.200 to 22.000GHz, STHP9R2-H061 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 9.200 – 22.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP9R2-H061是一款低通滤波器芯片,通带频率为9.200~22.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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