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搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
15.800 to 17.900GHz, STBP169-2R1-A256 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 15.800 – 17.900 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP169-2R1-A256是一款低通滤波器芯片,通带频率为15.800~17.900GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
16.100 to 17.900GHz, STBP170-1R8-D579 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 16.100 – 17.900 GHz
- 损耗: 2.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP170-1R8-D579是一款低通滤波器芯片,通带频率为16.100~17.900GHz,通带插损2.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
35.600 to 40.400GHz, STBP380-4R8-C396 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 35.600 – 40.400 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 13.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP380-4R8-C396是一款低通滤波器芯片,通带频率为35.600~40.400GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
35.800 to 40.400GHz, STBP381-4R6-C597 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 35.800 – 40.400 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP381-4R6-C597是一款低通滤波器芯片,通带频率为35.800~40.400GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
38.500 to 50.000GHz, STBP443-115-C345 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 38.500 – 50.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP443-115-C345是一款低通滤波器芯片,通带频率为38.500~50.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
39.000 to 50.000GHz, STBP445-110-C343 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 39.000 – 50.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP445-110-C343是一款低通滤波器芯片,通带频率为39.000~50.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
40.600 to 50.000GHz, STBP453-9R4-C626 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 40.600 – 50.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP453-9R4-C626是一款低通滤波器芯片,通带频率为40.600~50.000GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.000 to 7.100GHz, STBP6R6-1R1-D646 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 7.100 GHz
- 损耗: 2.3 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP6R6-1R1-D646是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~7.100GHz,通带插损2.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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