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搜索结果 8:
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高通滤波器, 滤波器
14.000 to 30.000GHz, STHP140-H066 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 14.000 – 30.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP140-H066是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.000~30.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
16.900 to 22.500GHz, STBP197-5R6-A590 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 16.900 – 22.500 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP197-5R6-A590是一款低通滤波器芯片,通带频率为16.900~22.500GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
18.000 to 21.300GHz, STBP197-3R3-D386 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 18.000 – 21.300 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP197-3R3-D386是一款低通滤波器芯片,通带频率为18.000~21.300GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.300 to 21.300GHz, STBP203-2R0-D563 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.300 – 21.300 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP203-2R0-D563是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.300~21.300GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
20.700 to 21.300GHz, STBP210-0R6-E523 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 20.700 – 21.300 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP210-0R6-E523是一款低通滤波器芯片,通带频率为20.700~21.300GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
25.000 to 30.000GHz, STBP275-5R0-A593 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 25.000 – 30.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP275-5R0-A593是一款低通滤波器芯片,通带频率为25.000~30.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
27.800 to 34.400GHz, STBP311-6R6-C278 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 27.800 – 34.400 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP311-6R6-C278是一款低通滤波器芯片,通带频率为27.800~34.400GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
29.000 to 34.400GHz, STBP317-5R4-A420 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 29.000 – 34.400 GHz
- 损耗: 1.6 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP317-5R4-A420是一款低通滤波器芯片,通带频率为29.000~34.400GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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