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搜索结果 8:
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高通滤波器, 滤波器
16.500 to 40.000GHz, STHP165-H070 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 16.500 – 40.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP165-H070是一款低通滤波器芯片,通带频率为16.500~40.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
18.000 to 21.300GHz, STBP197-3R3-D386 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 18.000 – 21.300 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP197-3R3-D386是一款低通滤波器芯片,通带频率为18.000~21.300GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.300 to 21.300GHz, STBP203-2R0-D563 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.300 – 21.300 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP203-2R0-D563是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.300~21.300GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
20.700 to 21.300GHz, STBP210-0R6-E523 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 20.700 – 21.300 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP210-0R6-E523是一款低通滤波器芯片,通带频率为20.700~21.300GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
26.000 to 40.000GHz, STBP330-140-C607 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 26.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP330-140-C607是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.000~40.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
27.500 to 40.300GHz, STBP339-128-C365 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 27.500 – 40.300 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP339-128-C365是一款低通滤波器芯片,通带频率为27.500~40.300GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
36.600 to 40.000GHz, STBP383-3R4-C611 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 36.600 – 40.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP383-3R4-C611是一款低通滤波器芯片,通带频率为36.600~40.000GHz,通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
4.950 to 5.950GHz, STBP5R5-1R0-D645 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.950 – 5.950 GHz
- 损耗: 2.1 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP5R5-1R0-D645是一款低通滤波器芯片,通带频率为4.950~5.950GHz,通带插损2.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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