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搜索结果 8:
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高通滤波器, 滤波器
17.000 to 37.000GHz, STHP170-H069 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP170-H069是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.000~37.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
17.200 to 22.600GHz, STBP199-5R4-A417 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 17.200 – 22.600 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP199-5R4-A417是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.200~22.600GHz,通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
18.600 to 22.600GHz, STBP206-4R0-A356 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 18.600 – 22.600 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP206-4R0-A356是一款低通滤波器芯片,通带频率为18.600~22.600GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
24.600 to 33.000GHz, STBP288-8R4-C363 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 24.600 – 33.000 GHz
- 损耗: 1.9 dB
- 回波损耗 : 10.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP288-8R4-C363是一款低通滤波器芯片,通带频率为24.600~33.000GHz,通带插损1.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
28.300 to 33.000GHz, STBP307-4R7-A394 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 28.300 – 33.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP307-4R7-A394是一款低通滤波器芯片,通带频率为28.300~33.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
32.400 to 37.000GHz, STBP347-4R6-C395 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 32.400 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP347-4R6-C395是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.400~37.000GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
33.000 to 37.000GHz, STBP350-4R0-C588 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 33.000 – 37.000 GHz
- 损耗: 1.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP350-4R0-C588是一款低通滤波器芯片,通带频率为33.000~37.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
4.880 to 4.980GHz, STBP4R9-0R1-D636 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 4.880 – 4.980 GHz
- 损耗: 4.7 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP4R9-0R1-D636是一款低通滤波器芯片,通带频率为4.880~4.980GHz,通带插损4.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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