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搜索结果 8:
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带通滤波器, 滤波器
11.000 to 28.000GHz, STBP195-170-H063 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.000 – 28.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STBP195-170-H063是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.000~28.000GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.000 to 28.000GHz, STBP200-160-H064 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.000 – 28.000 GHz
- 损耗: 0.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP200-160-H064是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.000~28.000GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
12.000 to 28.000GHz, STHP120-H064 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.000 – 28.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP120-H064是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.000~28.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
13.000 to 28.000GHz, STHP130-H065 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.000 – 28.000 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP130-H065是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.000~28.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
19.200 to 30.600GHz, STBP249-114-A408 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 19.200 – 30.600 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP249-114-A408是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.200~30.600GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
22.200 to 22.800GHz, STBP225-0R6-E469 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 22.200 – 22.800 GHz
- 损耗: 3.6 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 1.0 W
- 描述 : STBP225-0R6-E469是一款低通滤波器芯片,通带频率为22.200~22.800GHz,通带插损3.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
26.600 to 30.600GHz, STBP286-4R0-C605 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 26.600 – 30.600 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP286-4R0-C605是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.600~30.600GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
5.150 to 6.150GHz, STBP5R7-1R0-D406 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 5.150 – 6.150 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP5R7-1R0-D406是一款低通滤波器芯片,通带频率为5.150~6.150GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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