中电十三所 十七专
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低通滤波器, 滤波器
DC to 3.000GHz, NC6606C-030 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 3.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6606C-030是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~3.000GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 3.500GHz, NC6607C-035 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 3.500 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6607C-035是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~3.500GHz，通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 4.000GHz, NC6608C-040 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 4.000 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6608C-040是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~4.000GHz，通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 4.500GHz, NC6609C-045 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 4.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6609C-045是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~4.500GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 4.500GHz, NC6641C-045 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 4.500 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6641C-045是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~4.500GHz，通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.000GHz, NC6610C-050 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.000 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6610C-050是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~5.000GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 5.500GHz, NC6611C-055 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 5.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6611C-055是一款低通滤波器芯片，通带频率为DC~5.500GHz，通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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