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搜索结果 21:
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带通滤波器, 滤波器
2.400 to 2.500GHz, F00117 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 2.400 – 2.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00117是一款低通滤波器芯片,通带频率为2.400~2.500GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
2.400 to 2.500GHz, F00212 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 2.400 – 2.500 GHz
- 损耗: 0.8 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 10.0 W
- 描述 : F00212是一款低通滤波器芯片,通带频率为2.400~2.500GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
2.400 to 2.500GHz, F00314 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 2.400 – 2.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00314是一款低通滤波器芯片,通带频率为2.400~2.500GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
2.400 to 2.500GHz, F00489 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 2.400 – 2.500 GHz
- 损耗: 1.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00489是一款低通滤波器芯片,通带频率为2.400~2.500GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
8.060 to 8.460GHz, F00222 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 8.060 – 8.460 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00222是一款低通滤波器芯片,通带频率为8.060~8.460GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
9.555 to 9.955GHz, F00295 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 9.555 – 9.955 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00295是一款低通滤波器芯片,通带频率为9.555~9.955GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.500GHz, IFL-2.5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.500 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-2.5是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.500GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.500GHz, NC6605C-025 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.500 GHz
- 损耗: 0.9 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6605C-025是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.500GHz,通带插损0.9dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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低通滤波器, 滤波器
DC to 2.500GHz, XC-LF-2P5 低通滤波器,滤波器
- 频率 : DC – 2.500 GHz
- 损耗: 1.3 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-LF-2P5是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~2.500GHz,通带插损1.3dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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