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带通滤波器, 滤波器
10.600 to 14.000GHz, STBP123-3R4-A432 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.600 – 14.000 GHz
- 损耗: 1.1 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP123-3R4-A432是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.600~14.000GHz,通带插损1.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
射频易商城 官方自营、100%测试; 普军级及以上产品,请联系在线客服索取报价; 科研、院校等单位可申请5-100万预授信(联系客服) 射频易商城(成都仓库)发货,并提供售后服务 SKU: STBP123-3R4-A432 -
带通滤波器, 滤波器
11.700 to 19.000GHz, F00407 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.700 – 19.000 GHz
- 损耗: 1.5 dB
- 回波损耗 : 9.5 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00407是一款低通滤波器芯片,通带频率为11.700~19.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
12.400 to 14.000GHz, STBP132-1R6-D614 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 12.400 – 14.000 GHz
- 损耗: 2.5 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 3.0 W
- 描述 : STBP132-1R6-D614是一款低通滤波器芯片,通带频率为12.400~14.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.500 to 14.000GHz, F00081 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.500 – 14.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00081是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.500~14.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
13.500 to 14.000GHz, F00581 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 13.500 – 14.000 GHz
- 损耗: 2.0 dB
- 回波损耗 : 14.0 dB
- 功率 : 2.0 W
- 描述 : F00581是一款低通滤波器芯片,通带频率为13.500~14.000GHz,通带插损2.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
6.000 to 14.000GHz, NC6016C-614, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:6.000~14.000GHz
- 均衡量:6.0dB
- 插入损耗:0.6dB@18GHz
- VSWR:1.3
- NC6016C-614是均衡器系列芯片,均衡频段为6.000~14.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
6.000 to 14.000GHz, STHP6R0-H058 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.000 – 14.000 GHz
- 损耗: 1.2 dB
- 回波损耗 : 12.0 dB
- 功率 : 0.3 W
- 描述 : STHP6R0-H058是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.000~14.000GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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带通滤波器, 滤波器
6.800 to 10.700GHz, F00571 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 6.800 – 10.700 GHz
- 损耗: 3.0 dB
- 回波损耗 : 9.5 dB
- 功率 : 5.0 W
- 描述 : F00571是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.800~10.700GHz,通带插损3.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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