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带通滤波器, 滤波器
0.085 to 0.125GHz, F00165 带通滤波器,滤波器
频率 : 0.085 – 0.125 GHz
损耗: 2.5 dB
回波损耗 : 14.0 dB
功率 : 1.0 W
描述 : F00165是一款低通滤波器芯片,通带频率为0.085~0.125GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00165
带通滤波器, 滤波器
7.000 to 9.000GHz, F00267 带通滤波器,滤波器
频率 : 7.000 – 9.000 GHz
损耗: 1.0 dB
回波损耗 : 11.7 dB
功率 : 5.0 W
描述 : F00267是一款低通滤波器芯片,通带频率为7.000~9.000GHz,通带插损1.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00267
带通滤波器, 滤波器
1.000 to 1.500GHz, F00379 带通滤波器,滤波器
频率 : 1.000 – 1.500 GHz
损耗: 0.8 dB
回波损耗 : 14.0 dB
功率 : 5.0 W
描述 : F00379是一款低通滤波器芯片,通带频率为1.000~1.500GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00379
高通滤波器, 滤波器
26.000 to 40.000GHz, F00490 高通滤波器,滤波器
频率 : 26.000 – 40.000 GHz
损耗: 2.5 dB
回波损耗 : 9.5 dB
功率 : 5.0 W
描述 : F00490是一款低通滤波器芯片,通带频率为26.000~40.000GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00490
带通滤波器, 滤波器
4.000 to 4.500GHz, F00635 带通滤波器,滤波器
频率 : 4.000 – 4.500 GHz
损耗: 0.7 dB
回波损耗 : 14.0 dB
功率 : 10.0 W
描述 : F00635是一款低通滤波器芯片,通带频率为4.000~4.500GHz,通带插损0.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: F00635
低通滤波器, 滤波器
DC to 6.000GHz, NC6642C-060 低通滤波器,滤波器
频率 : DC – 6.000 GHz
损耗: 1.5 dB
回波损耗 : 15.0 dB
功率 : W
描述 : NC6642C-060是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~6.000GHz,通带插损1.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: NC6642C-060
带通滤波器, 滤波器
19.000 to 23.000GHz, NC6638C-1923 带通滤波器,滤波器
频率 : 19.000 – 23.000 GHz
损耗: 2.1 dB
回波损耗 : 1.6 dB
功率 : W
描述 : NC6638C-1923是一款低通滤波器芯片,通带频率为19.000~23.000GHz,通带插损2.1dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: NC6638C-1923
带通滤波器, 滤波器
2.600 to 6.800GHz, STBP4R7-4R2-H474 带通滤波器,滤波器
频率 : 2.600 – 6.800 GHz
损耗: 0.6 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 1.0 W
描述 : STBP4R7-4R2-H474是一款低通滤波器芯片,通带频率为2.600~6.800GHz,通带插损0.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STBP4R7-4R2-H474
带通滤波器, 滤波器
6.900 to 9.100GHz, STBP8R0-2R2-D296 带通滤波器,滤波器
频率 : 6.900 – 9.100 GHz
损耗: 1.6 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 3.0 W
描述 : STBP8R0-2R2-D296是一款低通滤波器芯片,通带频率为6.900~9.100GHz,通带插损1.6dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STBP8R0-2R2-D296
带通滤波器, 滤波器
10.000 to 24.800GHz, STBP174-148-H062 带通滤波器,滤波器
频率 : 10.000 – 24.800 GHz
损耗: 0.5 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 0.3 W
描述 : STBP174-148-H062是一款低通滤波器芯片,通带频率为10.000~24.800GHz,通带插损0.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STBP174-148-H062
带通滤波器, 滤波器
14.000 to 15.300GHz, STBP147-1R3-D404 带通滤波器,滤波器
频率 : 14.000 – 15.300 GHz
损耗: 2.5 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 3.0 W
描述 : STBP147-1R3-D404是一款低通滤波器芯片,通带频率为14.000~15.300GHz,通带插损2.5dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STBP147-1R3-D404
带通滤波器, 滤波器
17.400 to 21.600GHz, STBP195-4R2-D484 带通滤波器,滤波器
频率 : 17.400 – 21.600 GHz
损耗: 1.2 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 1.0 W
描述 : STBP195-4R2-D484是一款低通滤波器芯片,通带频率为17.400~21.600GHz,通带插损1.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STBP195-4R2-D484
芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
品牌:丽芯微电子
型号:C12-30-100V-101
容值/容差:100pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥100G@100V
损耗@频率:≤4.0@1KHz
封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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SKU: C12-30-100V-101
带通滤波器, 滤波器
32.000 to 41.000GHz, STBP365-9R0-C366 带通滤波器,滤波器
频率 : 32.000 – 41.000 GHz
损耗: 0.8 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 3.0 W
描述 : STBP365-9R0-C366是一款低通滤波器芯片,通带频率为32.000~41.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STBP365-9R0-C366
高通滤波器, 滤波器
16.000 to 38.000GHz, STHP160-H068 高通滤波器,滤波器
频率 : 16.000 – 38.000 GHz
损耗: 0.8 dB
回波损耗 : 12.0 dB
功率 : 0.3 W
描述 : STHP160-H068是一款低通滤波器芯片,通带频率为16.000~38.000GHz,通带插损0.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: STHP160-H068
低通滤波器, 滤波器
DC to 4.000GHz, XC-LF-4 低通滤波器,滤波器
频率 : DC – 4.000 GHz
损耗: 1.7 dB
回波损耗 : 18.0 dB
功率 : W
描述 : XC-LF-4是一款低通滤波器芯片,通带频率为DC~4.000GHz,通带插损1.7dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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SKU: XC-LF-4
芯片电容, 基础元器件
220pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容
品牌:丽芯微电子
型号:C11-15-50V-221
容值/容差:220pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥1G@50V
损耗@频率:≤2.5@1MHz
封装尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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SKU: C11-15-50V-221
芯片电容, 基础元器件
1000pF, 20%, 多层芯片电容(镀金焊盘)
品牌:丽芯微电子
型号:C14-0202-100V-102
容值/容差:1000pF / 20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:20%
损耗@频率:100V
封装尺寸:0.5*0.5*0.35 mm
性能特点:电容器ESL小,谐振频率高;适合键合组装方式,与半导体芯片相同的装配工艺;容量高,相比单层陶瓷电容器体积更小,可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪;微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域,可替代部分单层电容。
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SKU: C14-0202-100V-102