丽芯微电
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压控振荡器
358 to 374MHz, 压控振荡器 LSF7002NSS1
- 品牌 : 丽芯微电
- 频率范围 : 358 – 374 MHz
- 调谐电压: 0.5-2.8V
- 电调灵敏度 : 7.5MHz /V
- 相位噪声 : -113dBc/Hz@10KHz
- 工业级 （可订购普军级）
- 应用：频综器的核心部件；广泛应用于各类通信、雷达、电子对抗、遥感、侦测等电子设备与系统。
丽芯微电 授权代理，射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: LSF7002NSS1 -
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芯片电容, 基础元器件
4.7pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-15-100V-4R7
- 容值/容差：4.7pF / ±0.5pF
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
4.7pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-10-100V-4R7
- 容值/容差：4.7pF / ±0.5pF
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.254*0.254*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
4700pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-60-25V-472
- 容值/容差：4700pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：1.524*1.524*0.150 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
4700pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-60-25V-472
- 容值/容差：4700pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：1.524*1.524*0.150 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
47pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-20-100V-470
- 容值/容差：47pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
47pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-20-100V-470
- 容值/容差：47pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.508*0.508*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
6800pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-70-25V-682
- 容值/容差：6800pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：1.778*1.778*0.150 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
6800pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-70-25V-682
- 容值/容差：6800pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：1.778*1.778*0.150 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
6800pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-10V-682
- 容值/容差：6800pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：10V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
6800pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0303-100V-682
- 容值/容差：6800pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.8*0.8*0.5 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
680pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-25-50V-681
- 容值/容差：680pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C11-25-50V-681 -
芯片电容, 基础元器件
680pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-100V-681
- 容值/容差：680pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C14-0202-100V-681 -
芯片电容, 基础元器件
68pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-25-100V-680
- 容值/容差：68pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C11-25-100V-680 -
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芯片电容, 基础元器件
8.2pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-15-100V-8R2
- 容值/容差：8.2pF / ±0.5pF
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C12-15-100V-8R2 -
芯片电容, 基础元器件
8.2pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-10-100V-8R2
- 容值/容差：8.2pF / ±0.5pF
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.254*0.254*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C11-10-100V-8R2 -
