成都浩瀚芯光
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH115, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：10.0dB
- 插入损耗：1dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH115是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH116, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：9.0dB
- 插入损耗：0.9dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH116是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH117, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：8.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH117是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH118, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：7.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH118是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH119, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：6.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH119是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH120, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：5.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH120是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH121, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：4.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH121是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH122, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：3.0dB
- 插入损耗：0.7dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH122是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH123, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：2.0dB
- 插入损耗：0.6dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH123是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 6.000GHz, MH124, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～6.000GHz
- 均衡量：2.0dB
- 插入损耗：0.6dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH124是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~6.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 6.000GHz, MH125, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～6.000GHz
- 均衡量：3.0dB
- 插入损耗：0.7dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH125是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~6.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 6.000GHz, MH126, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～6.000GHz
- 均衡量：4.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH126是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~6.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 6.000GHz, MH127, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～6.000GHz
- 均衡量：5.0dB
- 插入损耗：0.9dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH127是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~6.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 6.000GHz, MH129, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～6.000GHz
- 均衡量：7.0dB
- 插入损耗：1.1dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH129是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~6.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 6.000GHz, MH130, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～6.000GHz
- 均衡量：8.0dB
- 插入损耗：1.2dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH130是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~6.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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