Die 裸芯片
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高通滤波器, 滤波器
2.000 to 18.000GHz, IFL-0218 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 2.000 – 18.000 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-0218是一款低通滤波器芯片,通带频率为2.000~18.000GHz,通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH115, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:10.0dB
- 插入损耗:1dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH115是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH116, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:9.0dB
- 插入损耗:0.9dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH116是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH117, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:8.0dB
- 插入损耗:0.8dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH117是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH118, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:7.0dB
- 插入损耗:0.8dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH118是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH119, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:6.0dB
- 插入损耗:0.8dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH119是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH120, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:5.0dB
- 插入损耗:0.8dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH120是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH121, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:4.0dB
- 插入损耗:0.8dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH121是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH122, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:3.0dB
- 插入损耗:0.7dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH122是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH123, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:2.0dB
- 插入损耗:0.6dB@18GHz
- VSWR:1.28
- MH123是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6005C-218A, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:8.0dB
- 插入损耗:0.8dB@18GHz
- VSWR:1.3
- NC6005C-218A是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6013C-218, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:2.5dB
- 插入损耗:1.7dB@18GHz
- VSWR:1.3
- NC6013C-218是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6014C-218, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:3.5dB
- 插入损耗:1.4dB@18GHz
- VSWR:1.3
- NC6014C-218是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6015C-218, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:2.0dB
- 插入损耗:1.4dB@18GHz
- VSWR:1.2
- NC6015C-218是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6021C-218, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:4.5dB
- 插入损耗:0.5dB@18GHz
- VSWR:1.3
- NC6021C-218是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6021C-218A, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:5.5dB
- 插入损耗:0.5dB@18GHz
- VSWR:1.3
- NC6021C-218A是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6021C-218B, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率:2.000~18.000GHz
- 均衡量:6.5dB
- 插入损耗:0.7dB@18GHz
- VSWR:1.3
- NC6021C-218B是均衡器系列芯片,均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺,无需额外的接地措施,使用简单方便;芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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