Die 裸芯片
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均衡器
2.000 to 12.000GHz, NC6004C-212C, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～12.000GHz
- 均衡量：8.0dB
- 插入损耗：0.6dB@18GHz
- VSWR：1.2
- NC6004C-212C是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~12.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 12.000GHz, NC6004C-212D, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～12.000GHz
- 均衡量：10.0dB
- 插入损耗：0.7dB@18GHz
- VSWR：1.3
- NC6004C-212D是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~12.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 12.000GHz, NC6012C-212A, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～12.000GHz
- 均衡量：2.5dB
- 插入损耗：1.0dB@18GHz
- VSWR：1.3
- NC6012C-212A是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~12.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 12.000GHz, NC6012C-212B, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～12.000GHz
- 均衡量：1.5dB
- 插入损耗：1.0dB@18GHz
- VSWR：1.3
- NC6012C-212B是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~12.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 12.000GHz, NC6018C-212, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～12.000GHz
- 均衡量：4.0dB
- 插入损耗：0.4dB@18GHz
- VSWR：1.2
- NC6018C-212是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~12.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
2.000 to 18.000GHz, IFL-0218 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 2.000 – 18.000 GHz
- 损耗: 2.2 dB
- 回波损耗 : 20.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : IFL-0218是一款低通滤波器芯片，通带频率为2.000~18.000GHz，通带插损2.2dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH115, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：10.0dB
- 插入损耗：1dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH115是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH116, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：9.0dB
- 插入损耗：0.9dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH116是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH117, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：8.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH117是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH118, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：7.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH118是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH119, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：6.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH119是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH120, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：5.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH120是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH121, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：4.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH121是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH122, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：3.0dB
- 插入损耗：0.7dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH122是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, MH123, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：2.0dB
- 插入损耗：0.6dB@18GHz
- VSWR：1.28
- MH123是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6005C-218A, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：8.0dB
- 插入损耗：0.8dB@18GHz
- VSWR：1.3
- NC6005C-218A是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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均衡器
2.000 to 18.000GHz, NC6013C-218, 10dB 均衡量 均衡器
- 频率：2.000～18.000GHz
- 均衡量：2.5dB
- 插入损耗：1.7dB@18GHz
- VSWR：1.3
- NC6013C-218是均衡器系列芯片，均衡频段为2.000~18.000GHz。该系列芯片分别可提供2dB~10dB 的均衡量。 该均衡器系列芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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