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Die 裸芯片
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高通滤波器, 滤波器
10.000 to 32.000GHz, XC-HF-10 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.000 – 32.000 GHz
- 损耗: 1.4 dB
- 回波损耗 : 15.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : XC-HF-10是一款低通滤波器芯片，通带频率为10.000~32.000GHz，通带插损1.4dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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高通滤波器, 滤波器
10.000 to 40.000GHz, NC6636C-1040 高通滤波器,滤波器
- 频率 : 10.000 – 40.000 GHz
- 损耗: 3.0 dB
- 回波损耗 : 13.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6636C-1040是一款低通滤波器芯片，通带频率为10.000~40.000GHz，通带插损3.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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芯片电容, 基础元器件
10000pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-90-25V-103
- 容值/容差：10000pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
10000pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-90-25V-103
- 容值/容差：10000pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@25V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-30-50V-102
- 容值/容差：1000pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-30-50V-102
- 容值/容差：1000pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, ≥1G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C13-0805-50V-102
- 容值/容差：1000pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：2.032*1.27*0.178 mm
- 性能特点：采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围：-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
1000pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-100V-102
- 容值/容差：1000pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-30-100V-101
- 容值/容差：100pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C11-25-100V-101
- 容值/容差：100pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-15-50V-101
- 容值/容差：100pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤2.5@1MHz
- 封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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芯片电容, 基础元器件
100pF, ≥1G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C13-0402-50V-101
- 容值/容差：100pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥1G@50V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：1.016*0.5*0.178 mm
- 性能特点：采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围：-55 ~ +125℃
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芯片电容, 基础元器件
100pF, 20%, 多层芯片电容（镀金焊盘）
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C14-0202-100V-101
- 容值/容差：100pF / 20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：20%
- 损耗@频率：100V
- 封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
- 性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。
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带通滤波器, 滤波器
102.000 to 106.000GHz, NC6658C-102106 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 102.000 – 106.000 GHz
- 损耗: 1.8 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6658C-102106是一款低通滤波器芯片，通带频率为102.000~106.000GHz，通带插损1.8dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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芯片电容, 基础元器件
10pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C12-15-100V-100
- 容值/容差：10pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
- 性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C12-15-100V-100 -
芯片电容, 基础元器件
10pF, ≥100G@100V, 表面贴装 单层芯片电容
- 品牌：丽芯微电子
- 型号：C13-0402-100V-100
- 容值/容差：10pF / ±20%
- 温度系数：±15%@-55～+125℃
- 绝缘电阻@电压：≥100G@100V
- 损耗@频率：≤4.0@1KHz
- 封装尺寸：1.016*0.5*0.178 mm
- 性能特点：采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围：-55 ~ +125℃
射频易商城 官方自营、100%测试； 普军级及以上产品，请联系在线客服索取报价； 科研、院校等单位可申请5-100万预授信（联系客服） 射频易商城（成都仓库）发货，并提供售后服务 SKU: C13-0402-100V-100 -
带通滤波器, 滤波器
11.000 to 12.500GHz, NC6694C-1112 带通滤波器,滤波器
- 频率 : 11.000 – 12.500 GHz
- 损耗: 4.0 dB
- 回波损耗 : 18.0 dB
- 功率 : W
- 描述 : NC6694C-1112是一款低通滤波器芯片，通带频率为11.000~12.500GHz，通带插损4.0dB。该滤波器芯片采用了片上金属化通孔工艺，无需额外的接地措施，使用简单方便；芯片背面进行了金属化处理，适用于导电胶粘接或共晶烧结工艺。
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